TAG标签 - 设为首页 - 加入收藏 欢迎访问优科技(www.ivipi.com)网站

lenovo
SHARK
当前位置:主页 > DIY >

三星量产第6代V NAND闪存:首创136层堆叠

时间:2019-08-06 17:30|来源:快科技|编辑:三哥|点击:

3D NAND可以简单理解为“盖楼”,在占地面积固定的情况下, 楼层越高,容量也就越大。今天(8月6日),三星宣布全球第一个投产超100层的3D NAND。

三星称,基于136层堆叠、256Gb(32GB)的第六代V NAND(3bit,也就是TLC)芯片6月量产,7月份,SSD进入量产,数据传输速率为业内最快。

三星量产第6代V NAND闪存:首创136层堆叠、传输速率业内最快

首款应用超100层堆叠第六代V NAND闪存的是250GB的SATA 3入门级SSD产品,性能提升10%、功耗降低15%、生产效率提升20%。

三星计划下半年推出基于512Gb第六代TLC的SSD和UFS闪存芯片,以满足更多客户需求。

三星量产第6代V NAND闪存:首创136层堆叠、传输速率业内最快
三星V NAND迭代路线图

转载请注明出处:https://www.ivipi.com/news/17318.html
欢迎关注
公众号二维码公众号二维码公众号二维码
相关新闻
荣耀20
vivo X23
荣耀20
广告位 1200*100

网站简介 - 网站声明 - 广告服务 - 联系我们

优科技 www.ivipi.com 联系QQ:6954352 邮箱:6954352@qq.com

Copyright © 2002-2011 DEDECMS.Power by DedeCms

辽ICP备17003470号-1 辽公网安备 21011402000157号

网络违法犯罪举报网站 | 违法与不良信息举报中心 | 12321网络不良信息与垃圾信息举报受理中心 | 12300电信用户申诉受理中心 | 12318全国文化市场举报网站