三星量产第6代V NAND闪存：首创136层堆叠

3D NAND可以简单理解为“盖楼”，在占地面积固定的情况下， 楼层越高，容量也就越大。今天（8月6日），三星宣布全球第一个投产超100层的3D NAND。

三星称，基于136层堆叠、256Gb（32GB）的第六代V NAND（3bit，也就是TLC）芯片6月量产，7月份，SSD进入量产，数据传输速率为业内最快。

首款应用超100层堆叠第六代V NAND闪存的是250GB的SATA 3入门级SSD产品，性能提升10%、功耗降低15%、生产效率提升20%。

三星计划下半年推出基于512Gb第六代TLC的SSD和UFS闪存芯片，以满足更多客户需求。

三星V NAND迭代路线图