HBM3/DDR5内存技术参数首次公开：均基于7nm打造

不是很懂这家公司，曾经的“专利流氓”Rambus今天居然公开了DDR5内存和HBM3存储的技术参数。

德媒ComputerBase报道称，Rambus的规划显示，HBM3基于7nm工艺制造，带宽高达4GT/s，封装架构更加复杂。

按照单芯片1024bit位宽，速度就可以实现512GB/s到1TB/s，也就是比HBM2直接翻了两番。

至于DDR5内存，设计目标I/O带宽6.4Gbps，总带宽51.2GB/s，频率4800~6400MHz，预取位数16bit，均比DDR4翻番。

其实在今年9月，Rambus就号称在实验室搞定了第一块完整工况的DDR5验证产品，电压还只有1.1V。

然而，必须指出的是，至少在整个2018年，HBM3/DDR5的影子都不会见到，最快最快也需要2019年。

Rambus到底是用PPT吓人还是真有几把刷子，那就不得而知了。只希望这种技术出来以后，不要再凭借专利去到处“咬人”，而且当年Intel因为硬上Rambus RDRAM被结结实实坑了一把。