Intel 3工艺官方深入揭秘:号称性能飙升18%!
Intel官方宣布,Intel 3工艺(相当于3nm级别)已经投入大规模量产,用于至强6 Sierra Forest能效核版本、Granite Ridge性能核版本,下半年陆续登场,但不会用于酷睿。
Intel 3作为现有Intel 4的升级版,带来了更高的晶体管密度和性能,并支持1.2V电压的超高性能应用,不但用于自家产品,还首次开放对外代工,未来多年会持续迭代。
首先强调,Intel 3工艺的定位一直就是需要高性能的数据中心市场,重点升级包括改进设计的晶体管、晶体管通孔电阻更低的供电电路、与客户的联合优化等等,还支持0.6V以下的低电压、1.3V以上的高电压,以实现最大负载。
为了获得性能、密度的最佳均衡,Intel还同时使用了240nm高性能库、210nm高密度库的组合——Intel 4只有前者。
客户如果有不同需求,还可以在三种不同的金属堆栈层数中选择:14层的成本最低,18层的性能和成本最均衡,21层的性能最高。
此外,Intel 3工艺的EUV极紫外光刻运用更加娴熟,在更多生产工序中使用了EUV。
最终的结果是,Intel保证新工艺可以在同等功耗、晶体管密度之下,相比Intel 4带来最多18%的提升!
Intel之前还曾表示,Intel 3相比于Intel 4逻辑缩微缩小了约10%(可以理解为晶体管尺寸),每瓦性能(也就是能效)则提升了17%。
不过在关键尺寸方面,Intel 3、Intel 4是基本一致的,接触孔多晶硅栅极间距(CPP)都是50nm,鳍片间距、M0间距都是30nm,另外库高度 x CPP的面积除了12K,还增加了10.5K版本,也是为了优化性能和成本平衡。
Intel 3后续还会优化推出不同的版本,针对性加强某个角度:
Intel 3-T:重点引入采用硅通孔(TSV)技术,针对3D堆叠进行优化。
Intel 3-E:扩展更多功能,比如1.2V原生电压、深N阱、长通道模拟设备、射频等,可用于生产芯片组、存储芯片等。
Intel 3-PT:在3-E的基础上,增加9微米间距的硅通孔,以及混合键合,性能再提升至少5%,使用也更简单,可用于AI、HPC芯片以及通用计算芯片。
- 全部评论(0)
- 15015654286 评论 科大讯飞星火认知大:大家好 期待
- 18458407950 评论 科大讯飞星火认知大:期待期待
- 17872407701 评论 科大讯飞星火认知大:好期待呀!
- 13869842415 评论 实践:更改“地区”:不同地区可用信道不同,澳大利亚属于可用信道很多的地区,所
- 13869842415 评论 实践:更改“地区”:abc就打不动我i大
- 15015654286 评论 火山引擎增长课堂 新:期待 期待
- 18139341200 评论 火山引擎增长课堂 新:多多的了解
- Intel 3工艺官方深入揭秘:号称性能飙升18%!
- AMD Zen5锐龙开卖时间定了!桌面、笔记本同时暴击
- 酷冷至尊推出被动式散热电源:加厚外壳、近乎零噪音
- PCIe 5.0 SSD凉快了!慧荣新主控SM2508功耗只有3.5W
- Intel 13/14代酷睿i9不稳定的根源找到了!需更新微代码和BIOS
- AMD两年半前入门卡RX 6500 XT突然重生
- Intel 3工艺官方揭秘:面积缩小10%、能效飙升17%
- Intel Lunar Lake处理器有了第三个名字:频率逼近5GHz
- AMD Zen5首次超频!锐龙5 9600X轻松全核5.7GHz
- 后置USB激进采用全Type-C!华擎展示旗舰主板Taichi AQUA